Article Dans Une Revue
Journal of Electronic Materials
Année : 2000
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https://hal.science/hal-00158984
Soumis le : lundi 2 juillet 2007-10:28:08
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00158984 , version 1
Citer
B. Boudart, S. Trassaert, X. Wallart, J.C. Pesant, O. Yaradou, et al.. Comparison between TiAl and TiAlNiAu ohmic contacts to n-type GaN. Journal of Electronic Materials, 2000, 29, pp.603-606. ⟨hal-00158984⟩
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