High power GaN MESFET's on sapphire substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Microwave and Guided Wave Letters Année : 2000

High power GaN MESFET's on sapphire substrate

Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. Trassaert
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
D. Theron
Y. Crosnier
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00158979

Soumis le : lundi 2 juillet 2007-10:28:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00158979 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158979 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, S. Trassaert, B. Boudart, D. Theron, Y. Crosnier. High power GaN MESFET's on sapphire substrate. IEEE Microwave and Guided Wave Letters, 2000, 10, pp.19-20. ⟨hal-00158979⟩

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