Strong isotope effects in the UV light-induced reactivation of dopants in hydrogenated or deuterated n-GaAs : Si - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2000

Strong isotope effects in the UV light-induced reactivation of dopants in hydrogenated or deuterated n-GaAs : Si

Jacques Chevallier
  • Fonction : Auteur
M. Barbe
  • Fonction : Auteur
M. Constant
  • Fonction : Auteur
D. Bernard-Loridant
S. Silvestre
  • Fonction : Auteur
E. Constant
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00158584

Soumis le : vendredi 29 juin 2007-10:20:27

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158584 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158584 , version 1

Citer

Jacques Chevallier, M. Barbe, M. Constant, D. Bernard-Loridant, S. Silvestre, et al.. Strong isotope effects in the UV light-induced reactivation of dopants in hydrogenated or deuterated n-GaAs : Si. Superlattices and Microstructures, 2000, 27, pp.447-452. ⟨hal-00158584⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
17 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More