The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ? - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2000

The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ?

S. Silvestre
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
D. Bernard-Loridant
E. Constant
  • Fonction : Auteur
M. Constant
  • Fonction : Auteur
Jacques Chevallier
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00158582

Soumis le : vendredi 29 juin 2007-10:20:22

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:37

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Dates et versions

hal-00158582 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158582 , version 1

Citer

S. Silvestre, D. Bernard-Loridant, E. Constant, M. Constant, Jacques Chevallier. The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ?. Applied Physics Letters, 2000, 20, pp.3206-3208. ⟨hal-00158582⟩

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