Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2000

Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures

S. Silvestre
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
E. Constant
  • Fonction : Auteur
D. Bernard-Loridant
M. Constant
  • Fonction : Auteur
Jacques Chevallier
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00158581

Soumis le : vendredi 29 juin 2007-10:20:21

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158581 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158581 , version 1

Citer

S. Silvestre, E. Constant, D. Bernard-Loridant, M. Constant, Jacques Chevallier. Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures. Superlattices and Microstructures, 2000, 5/6, pp.431-435. ⟨hal-00158581⟩

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