Composition effect on the growth mode, strain relaxation and critical thickness of tensile Ga1-xInxP layers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2000

Composition effect on the growth mode, strain relaxation and critical thickness of tensile Ga1-xInxP layers

O. Schuler
  • Fonction : Auteur
D. Deresmes
F. Mollot
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158231 , version 1 (28-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158231 , version 1

Citer

X. Wallart, O. Schuler, D. Deresmes, F. Mollot. Composition effect on the growth mode, strain relaxation and critical thickness of tensile Ga1-xInxP layers. Applied Physics Letters, 2000, 76, pp.2080-2082. ⟨hal-00158231⟩
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