Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2000
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00158231
Soumis le : jeudi 28 juin 2007-11:43:30
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:46
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00158231 , version 1
Citer
X. Wallart, O. Schuler, D. Deresmes, F. Mollot. Composition effect on the growth mode, strain relaxation and critical thickness of tensile Ga1-xInxP layers. Applied Physics Letters, 2000, 76, pp.2080-2082. ⟨hal-00158231⟩
Collections
17
Consultations
0
Téléchargements