The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate : a new structure parameter - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2000

The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate : a new structure parameter

Y. Cordier
M. Zaknoune
H. Happy
Virginie Hoel
Sylvie Lepilliet
D. Theron
A. Cappy
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00157879 , version 1 (27-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00157879 , version 1

Citer

S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, Virginie Hoel, et al.. The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate : a new structure parameter. Solid-State Electronics, 2000, 44, pp.1021-1027. ⟨hal-00157879⟩
36 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More