Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2005

Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls

Nicolas Wichmann
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
I. Duszynski
  • Fonction : Auteur
X. Wallart
S. Bollaert
A. Cappy

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https://hal.science/hal-00154894

Soumis le : vendredi 15 juin 2007-07:52:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00154894 , version 1 (15-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00154894 , version 1

Citer

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy. Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls. IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.601-603. ⟨hal-00154894⟩

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