On-wafer high frequency noise power measurements under cryogenic conditions : a new de-embedding approach [HEMT example] - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

On-wafer high frequency noise power measurements under cryogenic conditions : a new de-embedding approach [HEMT example]

S. Delcourt
  • Fonction : Auteur
Nour Eddine Bourzgui
Sylvie Lepilliet
C. Laporte
  • Fonction : Auteur
J.P. Fraysse
  • Fonction : Auteur
M. Maignan
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00154887 , version 1 (15-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00154887 , version 1

Citer

S. Delcourt, Gilles Dambrine, Nour Eddine Bourzgui, Sylvie Lepilliet, C. Laporte, et al.. On-wafer high frequency noise power measurements under cryogenic conditions : a new de-embedding approach [HEMT example]. 2004, pp.913-916. ⟨hal-00154887⟩
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