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Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C

Christophe Gaquière
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152673 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152673 , version 1

Citer

D. Theron, Christophe Gaquière, N. Vellas, B. Boudart, Y. Guhel, et al.. Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C. Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States. ⟨hal-00152673⟩
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