Communication Dans Un Congrès
Année : 2001
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00152673
Soumis le : jeudi 7 juin 2007-11:35:28
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152673 , version 1
Citer
D. Theron, Christophe Gaquière, N. Vellas, B. Boudart, Y. Guhel, et al.. Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C. Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States. ⟨hal-00152673⟩
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