Article Dans Une Revue
Jurnal Fizik UTM
Année : 2001
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00152635
Soumis le : jeudi 7 juin 2007-11:14:52
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152635 , version 1
Citer
H. Bakhtiar, A. Soltani, A. Hoffmann, J.P. Charles. Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors. Jurnal Fizik UTM, 2001, 8, pp.1-22. ⟨hal-00152635⟩
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