Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Jurnal Fizik UTM Année : 2001

Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152635 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152635 , version 1

Citer

H. Bakhtiar, A. Soltani, A. Hoffmann, J.P. Charles. Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors. Jurnal Fizik UTM, 2001, 8, pp.1-22. ⟨hal-00152635⟩
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