60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152631 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152631 , version 1

Citer

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger. 60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate. XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, May 2001, Cagliari, Sardinia, Italy. ⟨hal-00152631⟩
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