Hydrogen passivation and local electron-beam reactivation of silicon dopants in GaAs characterized by differential conductance and STM spectroscopy measurements - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Hydrogen passivation and local electron-beam reactivation of silicon dopants in GaAs characterized by differential conductance and STM spectroscopy measurements

Thierry Melin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. Silvestre
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
B. Grandidier
CV
D. Bernard-Loridant
D. Stievenard
E. Constant
  • Fonction : Auteur
C. Chevallier
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00152579

Soumis le : jeudi 7 juin 2007-10:36:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152579 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152579 , version 1

Citer

Thierry Melin, S. Silvestre, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Bernard-Loridant, et al.. Hydrogen passivation and local electron-beam reactivation of silicon dopants in GaAs characterized by differential conductance and STM spectroscopy measurements. 11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, Spectroscopy and Related Techniques, STM 2001, 2001, Vancouver, Canada. ⟨hal-00152579⟩

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