Etude par microscopie à effet tunnel de la passivation hydrogène des dopants silicium dans GaAs

Thierry Melin; S. Silvestre; J.P. Nys; B. Grandidier; D. Bernard-Loridant; D. Stievenard; E. Constant; Jacques Chevallier

Conference Papers Year : 2001

Etude par microscopie à effet tunnel de la passivation hydrogène des dopants silicium dans GaAs

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Thierry Melin

Function : Author
PersonId : 744412
IdHAL : thierry-melin
IdRef : 11444756X

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

S. Silvestre

Function : Author

J.P. Nys

Function : Author

B. Grandidier

Function : Author
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IdHAL : bruno-grandidier
ORCID : 0000-0001-6131-7309
IdRef : 084580135

CV

D. Bernard-Loridant

Function : Author
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IdHAL : dorothee-bernard-loridant

D. Stievenard

Function : Author
PersonId : 747967
IdHAL : didier-stievenard

E. Constant

Function : Author

Jacques Chevallier

Function : Author

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https://hal.science/hal-00152513

Submitted on : Thursday, June 7, 2007-9:25:58 AM

Last modification on : Wednesday, January 24, 2024-9:54:18 AM

Dates and versions

hal-00152513 , version 1 (07-06-2007)

Identifiers

HAL Id : hal-00152513 , version 1

Cite

Thierry Melin, S. Silvestre, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Bernard-Loridant, et al.. Etude par microscopie à effet tunnel de la passivation hydrogène des dopants silicium dans GaAs. Forum des microscopies à sonde locale, 2001, Marseille, France. ⟨hal-00152513⟩

Etude par microscopie à effet tunnel de la passivation hydrogène des dopants silicium dans GaAs

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