Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00152208

Soumis le : mercredi 6 juin 2007-11:10:53

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152208 , version 1 (06-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152208 , version 1

Citer

Katir Ziouche, Mohamed Boutchich, Pascale Godts, Didier Leclercq. Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P. 8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152208⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
65 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More