Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152208 , version 1 (06-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152208 , version 1

Citer

Katir Ziouche, Mohamed Boutchich, Pascale Godts, Didier Leclercq. Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P. 8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152208⟩
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