Determination of the electrical properties of 2.5nm thick silicon-based dielectric films : thermally grown SiOx - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2001

Determination of the electrical properties of 2.5nm thick silicon-based dielectric films : thermally grown SiOx

N. Pic
  • Fonction : Auteur
A. Glachant
  • Fonction : Auteur
S. Nitsche
  • Fonction : Auteur
J.Y. Hoarau
  • Fonction : Auteur
D. Goguenheim
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
A. Sibai
  • Fonction : Auteur
Jean-Luc Autran

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https://hal.science/hal-00152161

Soumis le : mercredi 6 juin 2007-10:44:49

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152161 , version 1 (06-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152161 , version 1

Citer

N. Pic, A. Glachant, S. Nitsche, J.Y. Hoarau, D. Goguenheim, et al.. Determination of the electrical properties of 2.5nm thick silicon-based dielectric films : thermally grown SiOx. Journal of Non-Crystalline Solids, 2001, 280, pp.69-77. ⟨hal-00152161⟩

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