Low driving voltages and memory effect in organic thin-film transistors with a ferroelectric gate insulator - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2001

Low driving voltages and memory effect in organic thin-film transistors with a ferroelectric gate insulator

G. Velu
C. Legrand
  • Fonction : Auteur
O. Tharaud
  • Fonction : Auteur
A. Chapoton
  • Fonction : Auteur
Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
G. Horowitz
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00152158

Soumis le : mercredi 6 juin 2007-10:44:48

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:26

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152158 , version 1 (06-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152158 , version 1

Citer

G. Velu, C. Legrand, O. Tharaud, A. Chapoton, Denis Remiens, et al.. Low driving voltages and memory effect in organic thin-film transistors with a ferroelectric gate insulator. Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.659-661. ⟨hal-00152158⟩

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