Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2001
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https://hal.science/hal-00152078
Soumis le : mercredi 6 juin 2007-09:45:24
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152078 , version 1
Citer
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot. Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by gas source molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 2001, 78, pp.2961-2963. ⟨hal-00152078⟩
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