70nm gate InP-based HEMTs with high ft and fmax - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

70nm gate InP-based HEMTs with high ft and fmax

S. Bollaert
J. Mateos
X. Wallart
A. Cappy
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00151776 , version 1 (05-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00151776 , version 1

Citer

T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy. 70nm gate InP-based HEMTs with high ft and fmax. 11th European Heterostructure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy. ⟨hal-00151776⟩
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