Monte Carlo simulation of electronics characteristics in short channel delta-doped AllnAs/GaInAs HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2001

Monte Carlo simulation of electronics characteristics in short channel delta-doped AllnAs/GaInAs HEMTs

J. Mateos-Lopez
  • Fonction : Auteur
T. Gonzalez
D. Pardo
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
A. Cappy
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00151760 , version 1 (05-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00151760 , version 1

Citer

J. Mateos-Lopez, T. Gonzalez, D. Pardo, Virginie Hoel, H. Happy, et al.. Monte Carlo simulation of electronics characteristics in short channel delta-doped AllnAs/GaInAs HEMTs. Microelectronics Reliability, 2001, 41, pp.73-77. ⟨hal-00151760⟩
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