Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2001
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00151760
Soumis le : mardi 5 juin 2007-11:26:16
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00151760 , version 1
Citer
J. Mateos-Lopez, T. Gonzalez, D. Pardo, Virginie Hoel, H. Happy, et al.. Monte Carlo simulation of electronics characteristics in short channel delta-doped AllnAs/GaInAs HEMTs. Microelectronics Reliability, 2001, 41, pp.73-77. ⟨hal-00151760⟩
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