Large signal behaviour of gallium nitride based HEMT's devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Large signal behaviour of gallium nitride based HEMT's devices

Nicolas Vellas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1105228
Simone Cassette
  • Fonction : Auteur
Sylvain Laurent Delage
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149730 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149730 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, et al.. Large signal behaviour of gallium nitride based HEMT's devices. 25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chermogolovska, Russia. ⟨hal-00149730⟩
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