Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ

Nicolas Vellas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1105228
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149717 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149717 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, et al.. Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ. GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149717⟩
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