Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN

Nicolas Vellas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1105228
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149714 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149714 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, et al.. Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN. 3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149714⟩
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