Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology

M. Ardouin
  • Fonction : Auteur
B. Bonte
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
S. Bollaert
D. Theron
Jean-Claude de Jaeger
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149713 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149713 , version 1

Citer

M. Ardouin, B. Bonte, M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, et al.. Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology. 25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chernogolovka, Russia. ⟨hal-00149713⟩
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