AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz

M. Zaknoune
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
X. Wallart
F Medjdoub
M. Ardouin
  • Fonction : Auteur
B. Bonte
  • Fonction : Auteur
D. Theron
Jean-Claude de Jaeger

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00149711

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:21:41

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149711 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149711 , version 1

Citer

M. Zaknoune, X. Wallart, F Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, et al.. AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz. Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States. ⟨hal-00149711⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
46 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More