Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nm - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nm

M. Gallitre
  • Fonction : Auteur
Jean-Daniel Arnould
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
Ph. Benech
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
O. Exshaw
  • Fonction : Auteur
A. Farcy
  • Fonction : Auteur
J. Torres
  • Fonction : Auteur

Domaines

Traitement du signal et de l'image [eess.SP] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electromagnétisme Traitement du signal et de l'image [eess.SP]

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https://hal.science/hal-00148420

Soumis le : mardi 22 mai 2007-14:31:08

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:19:44

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Dates et versions

hal-00148420 , version 1 (22-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148420 , version 1

Citer

M. Gallitre, Jean-Daniel Arnould, Ph. Benech, O. Exshaw, A. Farcy, et al.. Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nm. JCMM 2006, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00148420⟩

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