Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nm

M. Gallitre
  • Fonction : Auteur
O. Exshaw
  • Fonction : Auteur
A. Farcy
  • Fonction : Auteur
J. Torres
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148420 , version 1 (22-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148420 , version 1

Citer

M. Gallitre, Jean-Daniel Arnould, Ph. Benech, O. Exshaw, A. Farcy, et al.. Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nm. JCMM 2006, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00148420⟩

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