%0 Conference Proceedings %F Poster %T Un transformateur d'impédance complexe accordable %+ Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP) %A Perrier, A.L. %A Ferrari, Philippe %A Duchamp, J.M. %A Vincent, D. %< avec comité de lecture %Z RFM %B 14èmes Journées Nationales Microondes %C NANTES, France %8 2005 %D 2005 %Z Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing %Z Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics %Z Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism %Z Computer Science [cs]/Signal and Image ProcessingPoster communications %X Un transformateur d'impédance complexe accordable Résultats C p C(V) Avantages : deux paires de diodes une longueur totale de λ/3 substrat FR4 : ε r = 4 diodes BAT62-W03 : L s = 1,8 nH C p = 0,1 pF R s = 6 Ω 0,22 pF < C(V) < 0,35 pF avec 40V>V>0V f = 5 GHz Conception : technologie CPW deux polarisations différentes Schéma électrique équivalent des diodes : Capacité CMS V 2 V 2 V 1 V 1 Coupure V 1 =40V ; V 2 =40V F = 5,4 GHz |S 11 | =-23 dB |S 21 | =-5,5 dB Accord en fréquence pour une charge Z out de 50 Ω : Simulations : Mesures : C 1 = C 2 = C max F = 4,46 GHz |S 11 | =-20 dB |S 21 | =-4,9 dB C 1 = C 2 = C moy F = 5 GHz |S 11 | =-38 dB |S 21 | =-4,7 dB C 1 = C 2 = C min F = 5,28 GHz |S 11 | =-25 dB |S 21 | =-4,6 dB V 1 =1V ; V 2 =0V F = 4,7 GHz |S 11 | =-21 dB |S 21 | =-7,5 dB V 1 =10V ; V 2 =0.2V F = 1 GHz |S 11 | =-40 dB |S 21 | =-7,5 dB-40-30-20-10 0 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 fréquence (GHz) |S11| (dB) Influence de la résistance série des diodes sur les charges complexes adaptables (|S11|<-20dB et |S21|>-2dB) : 0.5 1-1 1 R s = 0 Ω R s = 2 Ω R s = 4 Ω R s = 6,6 Ω 1 0.5 1 0.5 1 |S21|>-8dB Charges complexes adaptable |S11|<-20dB à 5GHz : |S21|>-4,4dB |S21|>-2dB |S21|>-20dB %G French %2 https://hal.science/hal-00148306/document %2 https://hal.science/hal-00148306/file/2005_JNM-transformateur%20d%27imp%C3%A9dance.pdf %L hal-00148306 %U https://hal.science/hal-00148306 %~ UGA %~ CNRS %~ UNIV-GRENOBLE1 %~ INPG %~ FMNT