Room temperature of Er-doped silicon-rich oxide microcavities supporting high-Q whispering gallery modes - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Room temperature of Er-doped silicon-rich oxide microcavities supporting high-Q whispering gallery modes

K. Phan-Huy
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
J. Verbert
  • Fonction : Auteur
F. Mazen
  • Fonction : Auteur
P. Noé
  • Fonction : Auteur
J. Gérard
  • Fonction : Auteur
E. Hadji
CV
F. Orucevic
  • Fonction : Auteur
J. Hare
  • Fonction : Auteur
V. Lefèvre-Seguin
  • Fonction : Auteur
A. Morand
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
P. Benech
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

Domaines

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https://hal.science/hal-00148169

Soumis le : mardi 22 mai 2007-08:45:55

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:30:22

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Dates et versions

hal-00148169 , version 1 (22-05-2007)

Identifiants

Citer

K. Phan-Huy, J. Verbert, F. Mazen, P. Noé, J. Gérard, et al.. Room temperature of Er-doped silicon-rich oxide microcavities supporting high-Q whispering gallery modes. SPIE OPTICS AND PHOTONICS, 2005, SAN DIEGO, CA, United States. pp.59250O, ⟨10.1117/12.616958⟩. ⟨hal-00148169⟩

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