Numerical and experimental study of a 0,25 µm fully-depleted silicon on insulator MOSFET : static and dynamic RF behaviour - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2002

Numerical and experimental study of a 0,25 µm fully-depleted silicon on insulator MOSFET : static and dynamic RF behaviour

R. Rengel
  • Fonction : Auteur
J. Mateos
D. Pardo
  • Fonction : Auteur
T. Gonzales
  • Fonction : Auteur
M.J. Martin
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147834 , version 1 (21-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147834 , version 1

Citer

R. Rengel, J. Mateos, D. Pardo, T. Gonzales, M.J. Martin, et al.. Numerical and experimental study of a 0,25 µm fully-depleted silicon on insulator MOSFET : static and dynamic RF behaviour. Semiconductor Science and Technology, 2002, 17, pp.1149-1156. ⟨hal-00147834⟩
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