Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2003

Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates

A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
N. Malbert
  • Fonction : Auteur
N. Touboul
  • Fonction : Auteur
A. Minko
  • Fonction : Auteur
M. Uren
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146665 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146665 , version 1

Citer

A. Curutchet, N. Malbert, N. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko, et al.. Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1713-1718. ⟨hal-00146665⟩
20 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More