MBE growth of AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si (111) substrate with RF small signal and power performances - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2003

MBE growth of AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si (111) substrate with RF small signal and power performances

Y. Cordier
F. Semond
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P. Lorenzini
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
F. Natali
  • Fonction : Auteur
B. Damilano
J. Massies
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
A. Minko
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Jean-Claude de Jaeger
B. Dessertenne
  • Fonction : Auteur
S. Cassette
  • Fonction : Auteur
Et Al.
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00146661

Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:11:39

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146661 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146661 , version 1

Citer

Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, et al.. MBE growth of AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si (111) substrate with RF small signal and power performances. Journal of Crystal Growth, 2003, 251, pp.811-815. ⟨hal-00146661⟩

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