Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Saturation Drain Current analytical modeling of Single Gate Fully Depleted SOI or SON MOSFETs in the Quasi Ballistic Regime of Transport

M. Ferrier
  • Fonction : Auteur
R. Clerc
L. Lucci
  • Fonction : Auteur
A. Vandooren
  • Fonction : Auteur
F. Boeuf
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146654 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146654 , version 1

Citer

M. Ferrier, R. Clerc, L. Lucci, Gérard Ghibaudo, A. Vandooren, et al.. Saturation Drain Current analytical modeling of Single Gate Fully Depleted SOI or SON MOSFETs in the Quasi Ballistic Regime of Transport. 2006 IEEE International SOI Conference, 2006, Niagara Falls, United States. pp.XX. ⟨hal-00146654⟩

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