Communication Dans Un Congrès
Année : 2005
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https://hal.science/hal-00146508
Soumis le : mardi 15 mai 2007-09:44:19
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:36:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146508 , version 1
Citer
F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, O. Rozeau, Y. Bogumilowicz, et al.. In-Depth Study of Strained SGOI nMOSFETs down to 30nm Gate Length. 35st European Solid-State Device Research Conference, 2005, Grenoble, France. ⟨hal-00146508⟩
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