Communication Dans Un Congrès Année : 2005

In-Depth Study of Strained SGOI nMOSFETs down to 30nm Gate Length

F. Andrieu
  • Fonction : Auteur
T. Ernst
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O. Faynot
  • Fonction : Auteur
O. Rozeau
  • Fonction : Auteur
Y. Bogumilowicz
  • Fonction : Auteur
J.-M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
L. Brévard
  • Fonction : Auteur
A. Toffoli
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
H. Dansas
  • Fonction : Auteur
B. Ghyselen
  • Fonction : Auteur
F. Fournel
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146508 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146508 , version 1

Citer

F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, O. Rozeau, Y. Bogumilowicz, et al.. In-Depth Study of Strained SGOI nMOSFETs down to 30nm Gate Length. 35st European Solid-State Device Research Conference, 2005, Grenoble, France. ⟨hal-00146508⟩

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