Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146424 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146424 , version 1

Citer

A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, G. Larrieu, Emmanuel Dubois, et al.. Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain. European Materials Research Society Fall Meeting, 2003, Warsaw, Poland. ⟨hal-00146424⟩
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