Relation between thermal evolution of interstitial defects and transient enhanced diffusion in silicon - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Relation between thermal evolution of interstitial defects and transient enhanced diffusion in silicon

Alain Claverie
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Fuccio Cristiano
CV
B. Colombeau
  • Fonction : Auteur
Xavier Hebras
  • Fonction : Auteur
P. Calvo
  • Fonction : Auteur
Nikolay Cherkashin
CV
Y. Lamrani
  • Fonction : Auteur
E. Scheid
  • Fonction : Auteur
B. de Mauduit
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00146421

Soumis le : mardi 15 mai 2007-08:47:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146421 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146421 , version 1

Citer

Alain Claverie, Fuccio Cristiano, B. Colombeau, Xavier Hebras, P. Calvo, et al.. Relation between thermal evolution of interstitial defects and transient enhanced diffusion in silicon. 2003, pp.73. ⟨hal-00146421⟩

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