Wave-mechanical calculations of leakage current through stacked dielectrics for nanotransistor Metal-Oxide-Semiconductor design - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2003

Wave-mechanical calculations of leakage current through stacked dielectrics for nanotransistor Metal-Oxide-Semiconductor design

M. Le Roy
Eric Lheurette
D. Lippens
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Dates et versions

hal-00146086 , version 1 (27-05-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146086 , version 1

Citer

M. Le Roy, Eric Lheurette, O. Vanbésien, D. Lippens. Wave-mechanical calculations of leakage current through stacked dielectrics for nanotransistor Metal-Oxide-Semiconductor design. Journal of Applied Physics, 2003, 93, pp.2966-2971. ⟨hal-00146086⟩
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