Channel thickness dependence of breakdown dynamic in InP-based lattice-matched HEMTs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2003

Channel thickness dependence of breakdown dynamic in InP-based lattice-matched HEMTs

A. Sleiman
  • Fonction : Auteur
A. Di Carlo
  • Fonction : Auteur
P. Lugli
  • Fonction : Auteur
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
E. Zanoni
  • Fonction : Auteur
Jean-Luc Thobel
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00146070

Soumis le : lundi 14 mai 2007-10:25:07

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146070 , version 1 (14-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146070 , version 1

Citer

A. Sleiman, A. Di Carlo, P. Lugli, G. Meneghesso, E. Zanoni, et al.. Channel thickness dependence of breakdown dynamic in InP-based lattice-matched HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2003, 50, pp.2009-2014. ⟨hal-00146070⟩

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