Influence of passivation on high-power AlGaN/GaN HEMT devices at 10 GHz - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Influence of passivation on high-power AlGaN/GaN HEMT devices at 10 GHz

D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Werquin
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
D. Theron
T. Martin
  • Fonction : Auteur
E. Delos
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
N. Caillas
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
S. Delage
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00142304

Soumis le : mercredi 18 avril 2007-11:15:04

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00142304 , version 1 (18-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00142304 , version 1

Citer

D. Ducatteau, M. Werquin, Christophe Gaquière, D. Theron, T. Martin, et al.. Influence of passivation on high-power AlGaN/GaN HEMT devices at 10 GHz. 2004, pp.203-206. ⟨hal-00142304⟩

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