Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité

M. Werquin
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
D. Jambon
  • Fonction : Auteur
D. Theron
E. Delos
  • Fonction : Auteur
N. Caillas
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
Jean-Claude de Jaeger
S. Delage
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141965 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141965 , version 1

Citer

M. Werquin, D. Ducatteau, N. Vellas, D. Jambon, D. Theron, et al.. Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité. GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France. ⟨hal-00141965⟩
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