AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2004

AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz

Virginie Hoel
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
A. Soltani
E. Delos
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
D. Theron
Jean-Claude de Jaeger
H. Lahreche
  • Fonction : Auteur
L. Wedzikowski
  • Fonction : Auteur
R. Langer
  • Fonction : Auteur
P. Bove
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141952 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141952 , version 1

Citer

A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.453-455. ⟨hal-00141952⟩
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