High microwave and noise performance of 0.17µm AlGaN/GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2004

High microwave and noise performance of 0.17µm AlGaN/GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates

A. Minko
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Virginie Hoel
Sylvie Lepilliet
Gilles Dambrine
Jean-Claude de Jaeger
Y. Cordier
F. Semond
  • Fonction : Auteur
F. Natali
  • Fonction : Auteur
J. Massies
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00141951

Soumis le : mardi 17 avril 2007-08:33:50

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141951 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141951 , version 1

Citer

A. Minko, Virginie Hoel, Sylvie Lepilliet, Gilles Dambrine, Jean-Claude de Jaeger, et al.. High microwave and noise performance of 0.17µm AlGaN/GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.167-169. ⟨hal-00141951⟩

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