Article Dans Une Revue
Crystal Growth & Design
Année : 2006
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00141565
Soumis le : vendredi 13 avril 2007-11:50:59
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00141565 , version 1
Citer
L. Latu-Romain, D. Chaussende, M. Pons. High temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal SiC nominal surfaces. Crystal Growth & Design, 2006, 6 (12), pp.2788-2794. ⟨hal-00141565⟩
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