Numerical modeling of silicon carbide epitaxy in a horizontal hot-wall reactor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2007

Numerical modeling of silicon carbide epitaxy in a horizontal hot-wall reactor

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141556 , version 1 (13-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141556 , version 1

Citer

S. Nishizawa, M. Pons. Numerical modeling of silicon carbide epitaxy in a horizontal hot-wall reactor. Journal of Crystal Growth, 2007, 303, pp.334-336. ⟨hal-00141556⟩

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