Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2007
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00141556
Soumis le : vendredi 13 avril 2007-11:38:04
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00141556 , version 1
Citer
S. Nishizawa, M. Pons. Numerical modeling of silicon carbide epitaxy in a horizontal hot-wall reactor. Journal of Crystal Growth, 2007, 303, pp.334-336. ⟨hal-00141556⟩
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