SiC growth : evaluation and modeling - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

SiC growth : evaluation and modeling

Domaines

Matériaux Génie des procédés

Yannick Champion  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00141104

Soumis le : mercredi 11 avril 2007-15:25:05

Dernière modification le : jeudi 11 juillet 2024-14:32:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141104 , version 1 (11-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141104 , version 1

Citer

M. Pons, S. Nishizawa, P. Wellmann, E. Blanquet, J. M. Dedulle, et al.. SiC growth : evaluation and modeling. MRS Spring Meeting "B- Silicon Carbide – Materials, Processing and Devices", Apr 2006, San Francisco, United States. pp.64-77. ⟨hal-00141104⟩

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