High Temperature Silicon Carbide Chemical Vapor deposition processes: from pure thermodynamic to Mass transport modeling - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

High Temperature Silicon Carbide Chemical Vapor deposition processes: from pure thermodynamic to Mass transport modeling

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Yannick Champion  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00141097

Soumis le : mercredi 11 avril 2007-15:07:22

Dernière modification le : jeudi 11 juillet 2024-14:32:03

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Dates et versions

hal-00141097 , version 1 (11-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141097 , version 1

Citer

E. Blanquet, D. Chaussende, S. Nishizawa, M. Pons. High Temperature Silicon Carbide Chemical Vapor deposition processes: from pure thermodynamic to Mass transport modeling. European conference on Computational Dynamics, Symposium, Sep 2006, Egmondaan Zee, Netherlands. pp.1-20. ⟨hal-00141097⟩

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