Deposition of thin films TiO2 by atmospheric plasma post-discharge assisted injection MOCVD - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Surface and Coatings Technology Année : 2007

Deposition of thin films TiO2 by atmospheric plasma post-discharge assisted injection MOCVD

Résumé

TiO2 thin films have been deposited at low temperature using a new atmospheric pressure deposition process, which combines remote Atmospheric Pressure (AP) Plasma with Pulsed Injection Metallorganic Chemical Vapour Deposition (PIMOCVD). The effects of post-discharge plasma and deposition parameters have been studied with respect to the deposition kinetics, morphology, and microstructure of TiO2 films. It is shown that well-crystallised TiO2 anatase films can be obtained at a temperature of only 275 °C.

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Dates et versions

hal-00139870 , version 1 (22-10-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00139870 , version 1

Citer

Carmen Jiménez, D. de Barros, A. Darraz, J. L. Deschanvres, L. Rapenne, et al.. Deposition of thin films TiO2 by atmospheric plasma post-discharge assisted injection MOCVD. Surface and Coatings Technology, 2007, 201 (22-23), pp.8971-8975. ⟨hal-00139870⟩

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