Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2006

Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect

L. Kerkache
  • Fonction : Auteur
A. Layadi
  • Fonction : Auteur
El Hadj Dogheche
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Denis Remiens

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https://hal.science/hal-00138711

Soumis le : mardi 27 mars 2007-11:07:12

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00138711 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138711 , version 1

Citer

L. Kerkache, A. Layadi, El Hadj Dogheche, Denis Remiens. Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect. Journal of Physics D: Applied Physics, 2006, 39, pp.184-189. ⟨hal-00138711⟩

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