Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2006

Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect

L. Kerkache
  • Fonction : Auteur
A. Layadi
  • Fonction : Auteur
Denis Remiens
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138711 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138711 , version 1

Citer

L. Kerkache, A. Layadi, El Hadj Dogheche, Denis Remiens. Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect. Journal of Physics D: Applied Physics, 2006, 39, pp.184-189. ⟨hal-00138711⟩
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