TEM characterisation of the erbium silicide formation process using a Pt/Er stack on the silicon-on-insulator substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Microscopy Année : 2006

TEM characterisation of the erbium silicide formation process using a Pt/Er stack on the silicon-on-insulator substrate

A. Łaszcz
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
Xing Tang
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138660 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138660 , version 1

Citer

A. Łaszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, Xing Tang, Emmanuel Dubois. TEM characterisation of the erbium silicide formation process using a Pt/Er stack on the silicon-on-insulator substrate. Journal of Microscopy, 2006, 224, pp.38-41. ⟨hal-00138660⟩
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