TEM study of PtSi contacts layers for low Schottky barrier MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 2006

TEM study of PtSi contacts layers for low Schottky barrier MOSFETs

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138656 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138656 , version 1

Citer

A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Czerwinski, N. Breil, et al.. TEM study of PtSi contacts layers for low Schottky barrier MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 253, pp.274-277. ⟨hal-00138656⟩
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