Article Dans Une Revue
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Année : 2006
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00138656
Soumis le : mardi 27 mars 2007-10:23:00
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00138656 , version 1
Citer
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Czerwinski, N. Breil, et al.. TEM study of PtSi contacts layers for low Schottky barrier MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 253, pp.274-277. ⟨hal-00138656⟩
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